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IXCK36N250

更新时间： 2023-12-06 20:13:08

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
6页	218K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXCK36N250 数据手册

IXCH36N250

IXCK36N250

Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 7. Transconductance

140

120

100

T_J= - 40ºC

T_J= 25ºC

25ºC

T_J= 125ºC

125ºC

0.5

1.5

2.5

100

120

140

V_F- Volts

I_C- Amperes

Fig. 10. Capacitance

Fig. 9. Gate Charge

10,000

1,000

100

V_CE= 1000V

_C= 36A

ies

_G= 10mA

oes

res

= 1 MHz

100

120

140

160

180

V_CE- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance

Fig. 11. Reverse-Bias Safe Operating Area

160

140

120

100

0.1

0.01

0.001

T_J= 125ºC

_G= 20Ω

dv / dt < 10V / ns

0.0001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

250

500

750

1000

1250

1500

1750

2000

2250

2500

Pulse Width - Seconds

V_CE- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.

1 2 345 6

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