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ITC1100E3 PDF预览

ITC1100E3

更新时间： 2024-09-30 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 186K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, CASE 55SW, 3 PIN

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ITC1100E3 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ITC1100E3 数据手册

 浏览型号ITC1100E3的Datasheet PDF文件第2页 
ITC1100  
1000 WATT, 50V, Pulsed  
Avionics 1030 MHz  
GENERAL DESCRIPTION  
CASE OUTLINE  
55SW, Style 1  
Common Base  
The ITC1100 is a common base bipolar transistor. It is designed for pulsed  
interrogator systems in the frequency band of 1030 MHz. The device has gold  
thin-film metallization for proven high MTTF. The transistor includes input  
returns for improved output rise time . Low thermal resistance package reduces  
junction temperature which extends the life time of the product.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Power Dissipation  
Device Dissipation1 @25°C (Pd)  
Thermal Resistance1 (θJC)  
3400 W  
.08°C/W  
Voltage and Current  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current1  
65V  
3.5V  
80A  
Temperatures  
Storage Temperature  
-40 to +150°C  
+200°C  
Operating Junction Temperature1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
SYMBOL CHARACTERISTICS  
TEST  
MIN TYP MAX UNITS  
CONDITIONS  
BVebo2  
3.5  
65  
30  
20  
V
V
V
β
Emitter-Base Breakdown(open)  
Ie=50mA  
Ic=30mA  
Collector-Emitter Breakdown(shorted)  
BVces  
BVceo2  
Collector-Emitter Breakdown (open)  
Ic=30mA  
2
DC Current Gain  
Ic=5A, Vce=5V  
hFE  
100  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
Common Base Power Gain  
GPB  
10  
45  
10.5  
50  
dB  
%
nS  
Ψ
Collector Efficiency  
ηc  
Vcc = 50V, F = 1030MHz,  
Rise Time  
tr  
50  
80  
Pout=1000W Peak Min, PW=1µS, DF=1%  
Output Load Mismatch  
VSWR  
Zin  
4:1  
Series Input Impedance (Circuit  
source impedance @ test cond.)  
0.89 – j2.3  
Ω
Series Output Impedance (Circuit  
load impedance @ test cond.)  
Zout  
0.54 - j2.64  
Ω
1 At rated output power and pulse conditions  
2 Not measurable due to EB Returns  
Rev A – June 2006  
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.  
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