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ISL71090SEHVF12

更新时间： 2024-01-08 19:58:32

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THREE TERM VOLTAGE REFERENCE

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ISL71090SEHVF12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DFP,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	USML XV(E)	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.78	模拟集成电路 - 其他类型：	THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代码：	R-CDFP-F8	JESD-609代码：	e4
长度：	6.485 mm	功能数量：	1
输出次数：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电压：	1.2526 V	最小输出电压：	1.2513 V
标称输出电压：	1.252 V	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	2.79 mm	最大供电电压 (Vsup)：	30 V
最小供电电压 (Vsup)：	4 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
最大电压温度系数：	10 ppm/ °C	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Gold (Au)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	100k Rad(Si) V
微调/可调输出：	YES	宽度：	6.475 mm
Base Number Matches：	1

ISL71090SEHVF12 数据手册

ISL71090SEH12

Ordering Information

ORDERING

NUMBER

(Notes 1, 2)

PART

NUMBER

V_OUTOPTION

(V)

TEMP RANGE

PACKAGE

(RoHS Compliant)

(°C)

PKG. DWG. #

K8.A

5962R1321101VXC

ISL71090SEHF12/PROTO

5962R1321101V9A

ISL71090SEHX12SAMPLE

ISL71090SEH12EV1Z

NOTES:

ISL71090SEHVF12

1.25

-55 to +125

8 Ld Flatpack

Die

ISL71090SEHF12/PROTO

ISL71090SEHVX12

ISL71090SEHX12SAMPLE

Evaluation Board

Die

1. These Intersil Pb-free Hermetic packaged products employ 100% Au plate - e4 termination finish, which is RoHS compliant and compatible with both

SnPb and Pb-free soldering operations.

2. Specifications for Rad Hard QML devices are controlled by the Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLA). The SMD numbers listed in the

“Ordering Information” table must be used when ordering.

TABLE 1. KEY DIFFERENCES BETWEEN FAMILY OF PARTS

PART

NUMBER

V_OUT

(V)

TEMPCO

(ppm/°C)

OUTPUT VOLTAGE NOISE

LOAD REGULATION

(ppm/mA)

(µV_P-P)

ISL71090SEH12

ISL71090SEH25

ISL71090SEH50

ISL71090SEH75

1.25

2.5

5.0

7.5

2.5

1.1

FN8452.4

March 18, 2016

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