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2SA1006BR

更新时间： 2024-01-18 00:09:52

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无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
5页	124K
描述
Transistor

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2SA1006BR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SA1006BR 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC2336,

2SC2336A,2SC2336B

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier

·High frequency power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-180

-200

-250

-180

-200

-250

-5

UNIT

2SA1006

V_CBO

Open emitter

2SA1006A

2SA1006B

2SA1006

Collector-base voltage

V_CEO

Open base

2SA1006A

2SA1006B

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-1.5

I_CM

Collector current-Peak

-3.0

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3 4 5

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与2SA1006BR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1006P	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
2SA1006P	ISC	Transistor	获取价格
2SA1006Q	NEC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy	获取价格
2SA1006R	ISC	Transistor	获取价格
2SA1007	NEC	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格
2SA1007	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 250V 1.5A	获取价格