2N5732

更新时间： 2024-02-26 08:36:18

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3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5732 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.9
最大集电极电流 (IC)：	20 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2N5732 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5732

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High current capability

APPLICATIONS

·For linear amplifier and inductive

switching applications

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

100

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

T_C=25℃

87.5

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

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