是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.85 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B36 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS63WV1024LL-20BI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | |
IS63WV1024LL-20H | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, STSOP1-32 | |
IS63WV1024LL-20T2 | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 | |
IS63WV1288DALL | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS63WV1288DALL/DALS | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS63WV1288DBLL/DBLS | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 | |
IS63WV1288DBLL-10JI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 | |
IS63WV1288DBLL-10JLI | ISSI |
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Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-32 | |
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32 |