是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.33 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.576 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.699 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY62256L-70SNXI | CYPRESS |
类似代替 ![]() |
256K (32K x 8) Static RAM |
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IS62C256-70U | ISSI |
类似代替 ![]() |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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CY62256NLL-55SNXI | CYPRESS |
功能相似 ![]() |
256K (32K x 8) Static RAM |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62C256-70UI-TR | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOP-28 |
![]() |
IS62C256-70W | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS62C256-70WI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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IS62C256AL | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-25TI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-25UI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-45T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-45TI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-45TL | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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IS62C256AL-45TLI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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