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IS61LV3216-20KI

更新时间: 2024-01-24 17:54:29
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,

IS61LV3216-20KI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SOJ, SOJ44,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IS61LV3216-20KI 数据手册

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IS61LV3216  
AC WAVEFORMS  
READ CYCLE NO. 1(1,2) (Address Controlled) (CE = OE = VIL, UB or LB = VIL)  
1
t
RC  
ADDRESS  
2
t
AA  
t
OHA  
t
OHA  
DATA VALID  
DOUT  
PREVIOUS DATA VALID  
3
4
READ CYCLE NO. 2(1,3)  
t
RC  
5
ADDRESS  
OE  
t
AA  
t
OHA  
6
t
HZOE  
t
DOE  
LZOE  
ACE  
t
CE  
7
t
t
HZCE  
t
LZCE  
LB, UB  
8
t
BA  
t
HZB  
t
LZB  
HIGH-Z  
DOUT  
DATA VALID  
9
Notes:  
1. WE is HIGH for a Read Cycle.  
2. The device is continuously selected. OE, CE, UB, or LB = VIL.  
3. Address is valid prior to or coincident with CE LOW transition.  
10  
11  
12  
Integrated Circuit Solution Inc.  
5
SR009-0B  

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