Datasheet > IRKV57/4AS90

IRKV57/4AS90

更新时间： 2024-02-01 23:43:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	194K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 60000mA I(T), 400V V(RRM), 2 Element

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRKV57/4AS90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	270 mA	最大直流栅极触发电压：	4 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	2K-CA
最大维持电流：	200 mA	最大漏电流：	15 mA
通态非重复峰值电流：	1520 A	元件数量：	2
最大通态电压：	1.54 V	最大通态电流：	60000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

IRKV57/4AS90 数据手册

Bulletin I27134 rev. E 10/02

IRKU/V41, 56 SERIES

ADD-A-pak^TMGEN V Power Modules

THYRISTOR/ THYRISTOR

Features

Benefits

High Voltage

Up to 1600V

Industrial Standard Package

Thick Al metal die and double stick bonding

Thick copper baseplate

Full compatible TO-240AA

High Surge capability

45 A

Easy Mounting on heatsink

60 A

UL E78996 approved

Al₂0₃DBC insulator

Heatsink grounded

3500V_RMSisolating voltage

Mechanical Description

Theelectricalterminalsaresecuredagainst axialpull-out:

they are fixed to the module housing via a click-stop

feature already tested and proved as reliable on other IR

modules.

The Generation V of Add-A-pak module combine the

excellent thermal performance obtained by the usage

of Direct Bonded Copper substrate with superior

mechanical ruggedness, thanks to the insertion of a

solidCopperbaseplateatthebottomsideofthedevice.

The Cu baseplate allow an easier mounting on the

majority of heatsink with increased tolerance of surface

roughness and improve thermal spread.

Electrical Description

These modules are intended for general purpose high

voltage applications such as high voltage regulated power

supplies, lighting circuits, temperature and motor speed

control circuits, UPS and battery charger.

The Generation V of AAP module is manufactured

without hard mold, eliminating in this way any possible

direct stress on the leads.

Major Ratings and Characteristics

Parameters IRKU/V41 IRKU/V56 Units

I_T(AV)@ 85°C

I_T(RMS)

I_TSM@50Hz

850

890

1310

1370

8.50

7.82

@60Hz

I t

@50Hz

@60Hz

3.61

3.30

KA s

I √t

36.1

85.0

KA √s

V_RRMrange

T_STG

400 to 1600

- 40 to 125

- 40 to125

^oC

T_J

Document Number: 93752

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IRKV57/4AS90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRKV57-04PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Element, TO-240A
IRKV57-04S90PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Element, TO-240A
IRKV57-06	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240A
IRKV57-06PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240A
IRKV57-06S90	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 El
IRKV57-06S90PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240A
IRKV57-10S90	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2
IRKV57-10S90PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, TO-24
IRKV57-12	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 55000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2
IRKV57-12PBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, TO-24

与IRKV57/4AS90相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRKV57/4AS90

IRKV57/4AS90 技术参数

IRKV57/4AS90 数据手册

与IRKV57/4AS90相关器件

与IRKV57/4AS90相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRKV57/4AS90

IRKV57/4AS90 技术参数

IRKV57/4AS90 数据手册

与IRKV57/4AS90相关器件

与IRKV57/4AS90相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？