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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | UL APPROVED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 1000 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-240AA | JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 115 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 15000 µA | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKV71/06A | ETC |
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600V 75A Center-Tap Common Anode Phase Control Thyristor/Thyristor in a ADD-A-Pak (GEN I) |
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| IRKV71/08 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 115A I(T)RMS, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Elem |
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| IRKV71/08A | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 75000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Elem |
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| IRKV71/08AS90 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 75000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Elem |
|
| IRKV71/08AS90PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 115A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, TO-240AA, |
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| IRKV71/08S90 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 115A I(T)RMS, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Elem |
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| IRKV71/10A | ETC |
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1000V 75A Center-Tap Common Anode Phase Control Thyristor/Thyristor in a ADD-A-Pak (GEN I) |
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| IRKV71/12A | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 75000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 El |
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| IRKV71/12AS90 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 115A I(T)RMS, 75000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 El |
|
| IRKV71/12AS90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 75000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 El |
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