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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PXFM-X5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | FAST |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 600 mA | JESD-30 代码： | R-PXFM-X5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 282.6 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 30000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRKNF180-10EP | ETC | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|1KV V(RRM)|180A I(T) |
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| IRKNF180-10EPN | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKNF180-10EPNPBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKNF180-10FJ | ETC | THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|1KV V(RRM)|180A I(T) |
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| IRKNF180-10FJN | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKNF180-10FJPBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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