5秒后页面跳转

Datasheet > IRF540AF

IRF540AF PDF预览

IRF540AF

更新时间： 2024-01-24 11:32:47

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF540AF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	28 A	最大漏源导通电阻：	0.077 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	125 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON

IRF540AF 数据手册

浏览型号IRF540AF的Datasheet PDF文件第2页

12

下载PDF

与IRF540AF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF540AJ	MOTOROLA	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF540C	MOTOROLA	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF540CHIP	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| CHIP	获取价格
IRF540D1	MOTOROLA	28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	获取价格
IRF540F	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide	获取价格
IRF540F	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide	获取价格

与IRF540AF相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证