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IRF540A

更新时间： 2024-01-02 00:57:24
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 258K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRF540A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.25
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.0265 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：92 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF540A 数据手册

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IRF540A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.052  
ID = 28 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220  
O
175 C Operating Temperature  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
W
Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
100  
28  
O
Continuous Drain Current (TC=25  
)
C
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100  
Drain Current-Pulsed  
)
C
19.8  
110  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
20  
2
O
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
523  
28  
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
V/ns  
10.7  
6.5  
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
Total Power Dissipation (T =25  
)
W
107  
0.71  
C
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
O
Linear Derating Factor  
W/  
C
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
- 55 to +175  
300  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
1.4  
Units  
Rq  
--  
0.5  
--  
JC  
O
R q  
--  
C
/W  
CS  
Rq  
Junction-to-Ambient  
62.5  
JA  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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