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IR2102STR

更新时间： 2024-01-22 20:50:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 211K
描述
Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

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IR2102STR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：1高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：0.36 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：10 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：620 V
电源电压1-分钟：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：0.22 µs
接通时间：0.22 µs宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

IR2102STR 数据手册

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IR2101/IR21014/IR2102/IR21024  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15V, C = 1000 pF and T = 25°C unless otherwise specified.  
BIAS CC BS L A  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
Turn-on propagation delay  
Turn-off propagation delay  
Turn-on rise time  
—
—
—
—
—
160  
150  
100  
50  
220  
220  
170  
90  
V = 0V  
S
on  
off  
t
V
S
= 600V  
t
ns  
r
f
t
Turn-off fall time  
MT  
Delay matching, HS & LS turn-on/off  
—
50  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15V and T = 25°C unless otherwise specified. The V , V and I parameters are referenced to  
BIAS CC BS A IN TH IN  
COM. The V and I parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.  
O
O
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “1” input voltage (IR2101)  
Logic “0” input voltage (IR2102)  
Logic “0” input voltage (IR2101)  
Logic “1”input voltage (IR2102)  
IH  
3
VCC = 10V to 20V  
—
—
V
V
IL  
VCC = 10V to 20V  
—
—
0.8  
V
High level output voltage, V  
- V  
O
—
—
—
—
—
—
100  
100  
50  
I
I
= 0A  
= 0A  
OH  
BIAS  
O
mV  
V
Low level output voltage, V  
—
—
OL  
LK  
O
O
I
Offset supply leakage current  
Quiescent V supply current  
V = V = 600V  
B S  
I
30  
55  
V
= 0V or 5V  
= 0V or 5V  
QBS  
BS  
IN  
I
Quiescent V  
supply current  
150  
270  
V
QCC  
CC  
IN  
I
Logic “1” input bias current  
µA  
VIN = 5V (IR2101)  
VIN = 0V (IR2102)  
IN+  
—
3
10  
I
Logic “0” input bias current  
VIN = 0V (IR2101)  
VIN = 5V (IR2102)  
IN-  
—
8
—
1
V
V
CC  
supply undervoltage positive going  
8.9  
9.8  
CCUV+  
threshold  
supply undervoltage negative going  
V
V
V
CC  
7.4  
8.2  
9
CCUV-  
threshold  
I
Output high short circuit pulsed current  
130  
210  
—
V = 0V  
O
O+  
V
IN  
= Logic “1”  
mA  
PW ≤ 10 µs  
= 15V  
I
Output low short circuit pulsed current  
270  
360  
—
V
O
O-  
V
IN  
= Logic “0”  
PW ≤ 10 µs  
3
1234567...15

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