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IPS105N03LGAKMA1 PDF预览

IPS105N03LGAKMA1

更新时间： 2024-09-27 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 550K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPS105N03LGAKMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：30 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：245 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPS105N03LGAKMA1 数据手册

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IPD105N03L G  
IPS105N03L G  
IPF105N03L G  
IPU105N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
10.5  
35  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD105N03L G  
IPF105N03L G  
IPS105N03L G  
IPU105N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
105N03L  
PG-TO252-3-23  
105N03L  
PG-TO251-3-11  
105N03L  
PG-TO251-3-21  
105N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
35  
33  
35  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
27  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
245  
35  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=12 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
30  
mJ  
I D=35 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.02  
page 1  
2008-04-15  
1234567...12

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IPS105N03LGAKMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPS060N03LGAKMA1 INFINEON

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IPS1--10-1L-D-RA SAMTEC

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 		20 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER, ROHS COMPLIANT
IPS1--10-1L-D-VS SAMTEC

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 		20 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SURFACE MOUNT, ROHS COMPLIANT
IPS1-102-01-L-D SAMTEC

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IPS1-103-01-L-D SAMTEC

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 		Rectangular Power Connector
IPS1-103-01-L-D-RA SAMTEC

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 		Rectangular Power Connector
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