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IMS1403S-55M

更新时间： 2025-08-16 19:58:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	255K
描述
16KX1 STANDARD SRAM, 50ns, CDIP20, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20

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IMS1403S-55M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20	针数：	20
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
最长访问时间：	50 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDIP-T20	JESD-609代码：	e0
长度：	25.4 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP20,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.124 mm
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMS1403W-35	STMICROELECTRONICS	获取价格	16KX1 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
IMS1423	ETC	获取价格	HIGH PERFORMANCE 4K X 4 CMOS STATIC RAM
IMS1423E-25	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20
IMS1423N-45M	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
IMS1423P-45	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 40ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
IMS1423P-55	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 50ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
IMS1423P-55S	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,4KX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC
IMS1423S-35S	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,4KX4,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC
IMS1423S-45	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 40ns, CDIP20, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
IMS1423S-55M	STMICROELECTRONICS	获取价格	4KX4 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP20, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20