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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.76 |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.89 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IL1I-65656L-100:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, |
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| IL1I-65656V-100:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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| IL1I-65656V-85 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, |
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| IL1I-65664L-70 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, |
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| IL1I-65664L-75 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28, |
|
| IL1I-65664L-85 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, |
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| IL1I-65664V-75 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP28, |
|
| IL1I-67203L-55 | ATMEL |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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| IL1I-67203L-60 | ATMEL |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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| IL1I-67203V-65 | ATMEL |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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