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IDT72V825L15PF8

更新时间： 2024-02-27 04:45:35

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艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	482K
描述
FIFO, 1KX18, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP128, TQFP-128

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IDT72V825L15PF8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	TQFP-128	针数：	128
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	66.7 MHz	周期时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G128	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	18432 bit
内存集成电路类型：	OTHER FIFO	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	128	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1KX18	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP128,.63X.87,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT72V825L15PF8 数据手册

IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845

3.3 V CMOS DUAL SyncFIFO™ 256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 4,096 x 18

COMMERCIAL AND INDUSTRIAL

TEMPERATURE RANGES

RECOMMENDED OPERATING DC

CONDITIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Rating

Commercial

Unit

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max. Unit

VTERM

Terminal Voltage

–0.5 to +5

VCC

Supply Voltage

3.0

3.3

3.6

with respect to GND

Commercial/Industrial

Supply Voltage

TSTG

IOUT

Storage

Temperature

–55 to +125

–50 to +50

°C

GND

VIH

Input High Voltage

2.0

—

5.0

DC Output Current

Commercial/Industrial

(1)

VIL

Input Low Voltage

Commercial/Industrial

—

0.8

°C

NOTE:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause

permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation

of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational

sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating

conditions for extended periods may affect reliability.

Operating Temperature

Commercial

Operating Temperature

Industrial

-40

NOTE:

1. 1.5V undershoots are allowed for 10ns once per cycle.

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Commercial: VCC = 3.3V ± 0.3V, TA = 0°C to +70°C; Industrial: VCC = 3.3V ± 0.3V, TA = -40°C to +85°C)

IDT72V805

IDT72V815

IDT72V825

IDT72V835

IDT72V845

Commercial & Industrial⁽¹⁾

tCLK = 10, 15, 20 ns

Symbol

Parameter

Min.

–1

Typ.

—

Max.

Unit

µA

(2)

ILI

Input Leakage Current (any input)

Output Leakage Current

(3)

ILO

–10

2.4

—

0.4

VOH

VOL

Output Logic “1” Voltage, IOH = –2 mA

Output Logic “0” Voltage, IOL = 8 mA

—

(4,5,6)

ICC1

Active Power Supply Current

Standby Current

—

(4,7)

ICC2

NOTES:

1. Industrial temperature range product for the 15ns speed grade is available as a standard device.

2. Measurements with 0.4 ≤ V^IN≤ VCC.

3. OE ≥ V^IH, 0.4 ≤ VOUT ≤ VCC.

4. Tested with outputs disabled (I^OUT= 0).

5. RCLK and WCLK toggle at 20 MHZ and data inputs switch at 10 MHz.

6. Typical I^CC1= 2[2.04 + 0.88*fS + 0.02*CL*fS] (in mA).

These equations are valid under the following conditions:

V^CC= 3.3V, TA = 25°C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz, using TTL levels), data switching at fS/2, CL = capacitive load (in pF).

7. All Inputs = V^CC–0.2V or GND + 0.2V, except RCLK and WCLK, which toggle at 20 MHz.

CAPACITANCE

(TA = +25°C, f = 1.0MHz)

Symbol

Parameter⁽¹⁾

Conditions

Max.

Unit

(2)

CIN

Input

VIN = 0V

Capacitance

(1,2)

COUT

Output

VOUT = 0V

Capacitance

NOTES:

1. With output deselected, (OE ≥ V^IH).

2. Characterized values, not currently tested.

1 2 345 6 7...26

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