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IDT71V3579S80PFGI8

更新时间: 2024-01-02 20:47:54
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艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 252K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V3579S80PFGI8 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.35
Is Samacsys:N最长访问时间:8 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.035 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

IDT71V3579S80PFGI8 数据手册

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IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 256K x 18  
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81  
1
80  
79  
A
NC  
NC  
10  
NC  
NC  
NC  
2
3
78  
77  
4
V
DDQ  
VDDQ  
5
VSS  
76  
75  
74  
73  
VSS  
6
NC  
NC  
NC  
I/OP1  
I/O  
I/O  
7
8
I/O8  
7
9
72  
71  
70  
I/O9  
6
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
VSS  
VSS  
V
DDQ  
VDDQ  
69  
68  
67  
66  
I/O10  
I/O  
I/O  
VSS  
NC  
5
4
I/O11  
(1)  
V
SS  
VDD  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
NC  
V
DD  
ZZ(2)  
VSS  
I/O12  
I/O13  
I/O  
I/O  
3
2
V
DDQ  
V
V
DDQ  
SS  
VSS  
I/O14  
I/O15  
I/OP2  
NC  
I/O  
I/O  
NC  
NC  
1
0
VSS  
VSS  
V
DDQ  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
,
52  
51  
31  
33 34 35 36  
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  
37  
32  
6450 drw 02b  
100TQFP  
Top View  
NOTES:  
1. Pin 14 does not have to be directly connected to VSS as long as the input voltage is < VIL.  
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
6.42  
6

与IDT71V3579S80PFGI8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IDT71V3579S80PFI8 IDT Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579S80PFI9 IDT Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579S85BGG IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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IDT71V3579S85BGGI IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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IDT71V3579S85BQG IDT 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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