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Datasheet > IDT71V3579S80PFGI8
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IDT71V3579S80PFGI8

更新时间： 2024-01-27 10:22:40
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 252K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3579S80PFGI8 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.35
Is Samacsys：N最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.035 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.21 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V3579S80PFGI8 数据手册

 浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IDT71V3579S80PFGI8的Datasheet PDF文件第11页 
IDT71V3577S_79S, IDT71V3577SA_79SA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration – 128K x 36, 165 fBGA  
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10  
11  
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BWE  
GW  
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ADV  
ADSP  
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NC  
A6  
CS  
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CLK  
A9  
NC  
BW4  
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I/OP3  
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I/O19  
I/O21  
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G
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VDDQ  
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I/O  
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(3)  
V
SS(1)  
NC  
V
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V
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NC  
ZZ  
I/O  
I/O  
I/O  
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I/O25  
I/O27  
I/O29  
I/O31  
I/OP4  
NC  
I/O24  
I/O26  
I/O28  
I/O30  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
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V
V
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V
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K
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M
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P
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NC/TRST(2, 5)  
V
V
NC  
NC  
V
V
I/OP1  
(4)  
(2)  
(2)  
(4)  
NC  
A5  
A2  
NC/TDI  
A1  
NC/TDO  
A
A
A14  
NC  
(4)  
(2)  
R
NC  
A4  
A3  
NC/TMS(2)  
A0  
NC/TCK  
A
A12  
A15  
A16  
LBO  
6450 tbl 17  
Pin Configuration – 256K x 18, 165 fBGA  
1
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0
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CLK  
A9  
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BW1  
NC  
V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
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DD  
DD  
DD  
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DD  
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SS  
11  
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V
DDQ  
DDQ  
DDQ  
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NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
I/OP1  
I/O  
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V
V
V
V
V
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I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
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I/O  
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V
V
V
V
V
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V
6
I/O10  
I/O11  
NC  
V
V
V
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V
V
V
5
G
H
J
VDDQ  
V
V
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4
(3)  
V
SS(1)  
I/O12  
I/O13  
I/O14  
I/O15  
I/OP2  
NC  
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I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
NC  
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NC  
NC  
NC  
NC  
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K
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NC  
V
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V
V
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NC/TRST(2, 5)  
NC  
V
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NC  
NC  
V
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(4)  
(2)  
(2)  
(4)  
NC  
A5  
A2  
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A1  
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A
A
A15  
NC  
(4)  
(2)  
R
NC  
A4  
A3  
NC/TMS(2)  
A0  
NC/TCK  
A
A
A16  
A17  
LBO  
6450 tbl 17a  
NOTES:  
1. H1 does not have to be directly VSS as long as input voltage is < VIL  
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.  
3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.  
4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M, 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.  
5. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
6.42  
8
1...567891011...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V3579S80PFI8 IDT

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