是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QFP, QFP100,.63X.87 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 4.2 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 100 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V3556XS133PFGI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLAST | |
IDT71V3556XS133PFGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100 | |
IDT71V3556XS166BG8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
IDT71V3556XS166BGG | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V3556XS166BGGI | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V3556XS166BGGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
IDT71V3556XS166BGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
IDT71V3556XS166BQ8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165 | |
IDT71V3556XS166BQG | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs | |
IDT71V3556XS166BQGI | IDT |
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3.3V Synchronous ZBT SRAMs |