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IDT71V3556S133PFGI8

更新时间: 2024-09-26 06:48:55
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艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 2166K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V3556S133PFGI8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.1
最长访问时间:4.2 ns最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:36湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:100
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.045 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.31 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

IDT71V3556S133PFGI8 数据手册

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