Datasheet > IDT71V25761YSA166BGI

IDT71V25761YSA166BGI

更新时间： 2024-01-04 05:12:20

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	276K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V25761YSA166BGI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.52	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.035 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.33 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V25761YSA166BGI 数据手册

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V25761YSA166BGI的Datasheet PDF文件第7页

128K X 36, 256K X 18

IDT71V25761S

IDT71V25781S

IDT71V25761SA

IDT71V25781SA

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Pipelined Outputs,

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

TheIDT71V25761/781arehigh-speedSRAMs organizedas 128K

x 36/256K x 18. The IDT71V25761/781 SRAMs contain write, data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V25761/718canprovidefourcyclesofdata

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

Compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

TheIDT71V25761/781SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

grid array

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS0, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

Synchronous

N/A

TDI

TCK

Test Clock

TDO

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4

VDD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

VSS

N/A

5297 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V25781.

JUNE 2003

DSC-5297/03

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT71V25761YSA166BGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V25761YSA166BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V25761YSA183BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V25761YSA183BQI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V25761YSA200BG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V25761YSA200BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2576S	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576S133BG	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576S133BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2576S133BGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576S133BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

与IDT71V25761YSA166BGI相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

10
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V25761YSA166BGI

IDT71V25761YSA166BGI 技术参数

IDT71V25761YSA166BGI 数据手册

与IDT71V25761YSA166BGI相关器件

与IDT71V25761YSA166BGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V25761YSA166BGI

IDT71V25761YSA166BGI 技术参数

IDT71V25761YSA166BGI 数据手册

与IDT71V25761YSA166BGI相关器件

与IDT71V25761YSA166BGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？