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IDT71V124S20PH

更新时间: 2024-01-09 10:19:59
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页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
x8 SRAM

IDT71V124S20PH 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.57Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.955 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.683 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.095 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IDT71V124S20PH 数据手册

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