5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7132SA70J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7132SA70JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7132SA70JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| IDT7132SA70L48 | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7132SA70L48B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |
|
| IDT7132SA70L48G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |
|
| IDT7132SA70L52 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
|
| IDT7132SA70L52B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
|
| IDT7132SA70P | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7132SA90C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
