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IDT7132SA90C

更新时间： 2024-09-29 20:57:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	470K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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IDT7132SA90C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7132SA90CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7132SA90F	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132SA90FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132SA90FBG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132SA90J	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7132SA90JG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7132SA90JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7132SA90L48	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7132SA90L48B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7132SA90L48G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC48, LCC-48