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IDT71256L35J8

更新时间: 2024-09-29 14:27:55
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 256K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT71256L35J8 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.73
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.55 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

IDT71256L35J8 数据手册

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