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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00012 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.13 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71256L35SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT71256L35TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT71256L35TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT71256L35TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L35TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L35TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IDT71256L35XE | IDT |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IDT71256L35XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT71256L35Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71256L35Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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