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IDT71256L20PE8

更新时间: 2024-09-29 14:27:55
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 256K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28

IDT71256L20PE8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.330 INCH, SOIC-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.73
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.3642 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:8.763 mm
Base Number Matches:1

IDT71256L20PE8 数据手册

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