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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.66 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 36.576 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.699 mm | 最大待机电流： | 0.00012 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71256L20PGI | IDT |
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暂无描述 |
|
| IDT71256L20TC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71256L20TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L20TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L20TP | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IDT71256L20XE | IDT |
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Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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| IDT71256L20Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L20YB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L20YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71256L20YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
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