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IDT71016NS20YG

更新时间： 2024-10-02 06:19:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	90K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44

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IDT71016NS20YG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.73
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e3	长度：	28.575 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.683 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IDT71016NS20YG 数据手册

CMOS Static RAM

1 Meg (64K x 16-Bit)

IDT71016S/NS

Features

Description

◆

64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

TheIDT71016is a1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganized

as64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability

CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with

innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

high-speedmemoryneeds.

◆

Equal access and cycle times

– CommercialandIndustrial:12/15/20ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-

◆

compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Commercial and industrial product available in 44-pin

TheIDT71016hasanoutputenablepinwhichoperatesasfastas7ns,

withaddress access times as fastas 12ns. Allbidirectionalinputs and

outputsoftheIDT71016areTTL-compatibleandoperationisfromasingle

5Vsupply. Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiringnoclocks

orrefreshforoperation.

◆

Plastic SOJ package and 44-pin TSOP package

TheIDT71016ispackagedinaJEDECstandard44-pinPlasticSOJ

and 44-pin TSOP Type II.

FunctionalBlockDiagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A0 - A15

I/O 15

High

Byte

I/O

Chip

Enable

Buffer

I/O 8

Sense

Amps

and

Write

Drivers

64K x 16

Memory

Array

Write

Enable

Buffer

I/O 7

I/O 0

Low

Byte

I/O

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

3210 drw 01

FEBRUARY 2007

DSC-3210/10

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71016S12PH	IDT	获取价格	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71016S12PHG	IDT	获取价格	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71016S12PHG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
IDT71016S12PHGI	IDT	获取价格	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71016S12PHGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
IDT71016S12PHI	IDT	获取价格	CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
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