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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 26.162 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.191 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HM6267P-35 | HITACHI |
功能相似  |
16384-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6167SA25PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
|
| IDT6167SA25SO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| IDT6167SA25Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
|
| IDT6167SA25YB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
|
| IDT6167SA35D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
|
| IDT6167SA35DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
|
| IDT6167SA35DI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20 |
|
| IDT6167SA35E | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDFP20, 0.300 INCH, CERPACK-20 |
|
| IDT6167SA35EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDFP20, 0.300 INCH, CERPACK-20 |
|
| IDT6167SA35F | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDFP20, FP-20 |
|
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