是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.09 |
最长访问时间: | 90 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 32.004 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116SA90DGB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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IDT6116SA90DI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24 |
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IDT6116SA90EB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
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IDT6116SA90FB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDFP24, FP-24 |
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IDT6116SA90L24B | ETC |
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x8 SRAM |
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IDT6116SA90L28B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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IDT6116SA90L28BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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IDT6116SA90L32B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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IDT6116SA90P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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IDT6116SA90PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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