5秒后页面跳转
IDT6116LA25FBG PDF预览

IDT6116LA25FBG

更新时间: 2024-09-24 15:34:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 275K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDFP24, FP-24

IDT6116LA25FBG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:FP-24针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.65
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-CDFP-F24
JESD-609代码:e3内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.286 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:MATTE TIN端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:9.9 mm
Base Number Matches:1

IDT6116LA25FBG 数据手册

 浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT6116LA25FBG的Datasheet PDF文件第7页 

与IDT6116LA25FBG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT6116LA25L24 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC24, LCC-24
IDT6116LA25L24B IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC24, LCC-24
IDT6116LA25L28 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116LA25L28B IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116LA25L28B8 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116LA25L328 IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA25L32B IDT

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA25P IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA25PB IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA25PI IDT

获取价格

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)