是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | FP-24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.65 |
最长访问时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | R-CDFP-F24 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.286 mm | 最小待机电流: | 2 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 9.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116LA25L24 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116LA25L24B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 | |
IDT6116LA25L28 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA25L28B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA25L28B8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT6116LA25L328 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116LA25L32B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT6116LA25P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA25PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA25PI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |