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IDT10474S10Y

更新时间： 2024-01-04 22:40:09

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	88K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 7ns, PDSO24

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IDT10474S10Y 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SOJ, SOJ24,.34
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.41
最长访问时间：	7 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-J24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
负电源额定电压：	-5.2 V	端子数量：	24
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX4
输出特性：	OPEN-EMITTER	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ24,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	-5.2 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	SRAMs	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

IDT10474S10Y 数据手册

PRELIMINARY

IDT10474, IDT10A474

IDT100474, IDT100A474

IDT101474, IDT101A474

HIGH-SPEED BiCMOS

ECL STATIC RAM

4K (1K x 4-BIT) SRAM

Integrated Device Technology, Inc.

These devices are part of a family of asynchronous four-

bit-wide ECL SRAMs. This device is available in both the

traditional corner-power pinout, and "revolutionary" center-

power pin configurations. Because they are manufactured in

BiCMOS technology, power dissipation is greatly reduced

over equivalent bipolar devices. Low power operation pro-

vides higher system reliability and makes possible the use of

the plastic SOJ package for high-density surface mount

assembly.

The fast access time and guaranteed Output Hold time

allowgreatermarginforsystemtimingvariation. DataINsetup

time specified with respect to the trailing edge of Write Pulse

eases write timing allowing balanced Read and Write cycle

times.

FEATURES:

• 1024-words x 4-bit organization

• Address access time: 2.7/3/3.5/4/4.5/5/7/8/10/15 ns

• Low power dissipation: 1000mW (typ.)

• Guaranteed Output Hold time

• Fully compatible with ECL logic levels

• Separate data input and output

• Corner and Center power pin pinouts

• Standard through-hole and surface mount packages

• Guaranteed-performance die available for MCMs/hybrids

• MIL-STD-883, Class B product available

DESCRIPTION:

The IDT10474(10A474), IDT100474(100A474) and

IDT101474(101A474)are4,096-bithigh-speedBiCMOSECL

static random access memories organized as 1Kx4, with

separate data inputs and outputs. All I/Os are fully compatible

with ECL levels.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

4,096-BIT

MEMORY

ARRAY

DECODER

SENSE AMPS

AND READ/WRITE

CONTROL

2760 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

OCTOBER 1992

1992 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-8022/3

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IDT10474S15D	ETC	x4 SRAM	获取价格
IDT10474S15DF	IDT	Standard SRAM, 1KX4, 7ns, CDIP24	获取价格
IDT10474S15Y	IDT	Standard SRAM, 1KX4, 7ns, PDSO24	获取价格
IDT10474S2.7DF	IDT	Standard SRAM, 1KX4, 2.7ns, CDIP24	获取价格
IDT10474S2.7Y	ETC	x4 SRAM	获取价格
IDT10474S3.5DF	IDT	Standard SRAM, 1KX4, 3.5ns, CDIP24	获取价格

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