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IDT10474S15DF

更新时间： 2024-01-26 14:44:12
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 88K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 7ns, CDIP24

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IDT10474S15DF 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：DIP, DIP24,.4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.86
Is Samacsys：N最长访问时间：7 ns
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-XDIP-T24
JESD-609代码：e0内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
负电源额定电压：-5.2 V端子数量：24
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1KX4
输出特性：OPEN-EMITTER封装主体材料：CERAMIC
封装代码：DIP封装等效代码：DIP24,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：-5.2 V认证状态：Not Qualified
子类别：SRAMs表面贴装：NO
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IDT10474S15DF 数据手册

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PRELIMINARY  
IDT10474, IDT10A474  
IDT100474, IDT100A474  
IDT101474, IDT101A474  
HIGH-SPEED BiCMOS  
ECL STATIC RAM  
4K (1K x 4-BIT) SRAM  
Integrated Device Technology, Inc.  
These devices are part of a family of asynchronous four-  
bit-wide ECL SRAMs. This device is available in both the  
traditional corner-power pinout, and "revolutionary" center-  
power pin configurations. Because they are manufactured in  
BiCMOS technology, power dissipation is greatly reduced  
over equivalent bipolar devices. Low power operation pro-  
vides higher system reliability and makes possible the use of  
the plastic SOJ package for high-density surface mount  
assembly.  
The fast access time and guaranteed Output Hold time  
allowgreatermarginforsystemtimingvariation. DataINsetup  
time specified with respect to the trailing edge of Write Pulse  
eases write timing allowing balanced Read and Write cycle  
times.  
FEATURES:  
• 1024-words x 4-bit organization  
• Address access time: 2.7/3/3.5/4/4.5/5/7/8/10/15 ns  
• Low power dissipation: 1000mW (typ.)  
• Guaranteed Output Hold time  
• Fully compatible with ECL logic levels  
• Separate data input and output  
• Corner and Center power pin pinouts  
• Standard through-hole and surface mount packages  
• Guaranteed-performance die available for MCMs/hybrids  
• MIL-STD-883, Class B product available  
DESCRIPTION:  
The IDT10474(10A474), IDT100474(100A474) and  
IDT101474(101A474)are4,096-bithigh-speedBiCMOSECL  
static random access memories organized as 1Kx4, with  
separate data inputs and outputs. All I/Os are fully compatible  
with ECL levels.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A
0
V
V
CC  
EE  
4,096-BIT  
MEMORY  
ARRAY  
DECODER  
A
9
D
D
D
D
0
1
2
Q
Q
Q
Q
0
1
2
SENSE AMPS  
AND READ/WRITE  
CONTROL  
3
3
WE  
CS  
2760 drw 01  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE  
OCTOBER 1992  
1992 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC-8022/3  
1
1234567

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