5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.31 |
| 最小击穿电压： | 9.4 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 11.5 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 8 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ICTE8C | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
UNI-AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES DE PORTECTION UNI- ET BIDIRECTI |
|
| ICTE8C | VISHAY |
获取价格 |
TRANSZORB Transient Voltage Suppressors |
|
| ICTE-8C | VISHAY |
获取价格 |
TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| ICTE-8C | MDE |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| ICTE-8C | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| ICTE-8C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5KW 2-Pin DO-201AD |
|
| ICTE-8C/100-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup |
|
| ICTE-8C/4 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAST |
|
| ICTE-8C/4E | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup |
|
| ICTE-8C/4-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppress |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
