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IC41C16256-50TG

更新时间: 2024-02-21 19:54:22
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 209K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40

IC41C16256-50TG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP40/44,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.48Is Samacsys:N
访问模式:EDO PAGE最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e3
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.18 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC41C16256-50TG 数据手册

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IC41C16256  
IC41LV16256  
Document Title  
256Kx16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
0B  
0C  
Initial Draft  
August 9,2001  
December 18,2001  
April 23,2004  
Revise for typo on page 20  
Add Pb-free package  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
DR018-0C 04/23/2004  

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