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IC41C16100AS-60K

更新时间： 2024-01-06 09:30:02

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矽成 - ICSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	232K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IC41C16100AS-60K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-50/44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100A/IC41C16100AS

IC41LV16100A/IC41LV16100AS

Document Title

1M x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

September 28,2001

Integrated Circuit Solution Inc.

DR030-0A 09/28/2001

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC41C16100AS-60T	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-45K	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-45K	ISSI	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42	获取价格
IC41C16100S-45KG	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IC41C16100S-45KI	ICSI	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格