是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | R-PDSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 9.99 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 2.2% | 工作测试电流: | 5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HZU10B2TRF-E | RENESAS |
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暂无描述 | |
HZU10B3 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer | |
HZU10B3TLF | RENESAS |
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10.33V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE | |
HZU10B3TRF | RENESAS |
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暂无描述 | |
HZU10B3TRF-E | RENESAS |
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HZU10B3TRF-E | |
HZU10G | RENESAS |
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Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption | |
HZU11 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer | |
HZU11A1L | RENESAS |
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Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application | |
HZU11A1LTRF | RENESAS |
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暂无描述 | |
HZU11A2L | RENESAS |
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Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |