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HZS36-3

更新时间： 2024-09-21 20:10:15

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EIC		测试二极管
页数	文件大小	规格书
2页	82K
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Zener Diode,

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HZS36-3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.4 W
参考标准：	TS 16949	标称参考电压：	37.2 V
最大反向电流：	1 µA	反向测试电压：	27 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	2.15%
工作测试电流：	2 mA	Base Number Matches：	1

HZS36-3 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

ZENER DIODES

HZS SERIES

DO - 34 Glass

VZ : 2.0 - 36V

P_D: 250 mW

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

0.118 (3.0)

max.

Cathode

Mark

FEATURES :

* Low leakage, low zener impedance

* Maximum power dissipation of 400 mW

* Lead / RoHS Free

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Zener Current see Table "Characteristics"

Maximum Forward Current

Symbol

Value

Unit

I_F

150

400

P_D

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

°C

- 55 to + 175

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Rev. 05 : December 4, 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HZS36-3L	EIC	获取价格	Zener Diode,
HZS36-3L	RENESAS	获取价格	37.2V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, MHD, 2 PIN
HZS36-3TAX	HITACHI	获取价格	Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN
HZS36L	EIC	获取价格	ZENER DIODES
HZS36L1	SWST	获取价格	稳压二极管
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