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HYG210P06LQ1U

更新时间： 2024-02-06 08:13:19

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华羿微 - HUAYI		/
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11页	1321K
描述
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HYG210P06LQ1U 数据手册

HYG210P06LQ1 D/U/V

Typical Operating Characteristics

Figure 1: Power Dissipation

Figure 2: Drain Current

Tc-Case Temperature(℃)

Figure 3: Safe Operation Area

Figure 4: Thermal Transient Impedance

-VDS-Drain-Source Voltage(V)

Maximum Effective Transient Thermal

Impedance, Junction-to-Case

Figure 5: Output Characteristics

Figure 6: Drain-Source On Resistance

-V^DS-Drain-Source Voltage (V)

www.hymexa.com

- ID-Drain Current(A)

V1.1

1 2 345 6 7...11

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