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HYI18T1G400BC-2.5

更新时间： 2024-11-12 02:51:31

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奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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74页	4044K
描述
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

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HYI18T1G400BC-2.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA68,9X19,32
针数：	68	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B68	长度：	17 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	68	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA68,9X19,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

July 2007

HY[B/I]18T1G400B[F/C](L)

HY[B/I]18T1G800B[F/C](L)

HY[B/I]18T1G16[0/7]B[F/C](L/V)

1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant Products

Internet Data Sheet

Rev. 1.3

12 3 4 5 6 7...74

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYI18T1G400BC-2.5F	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BC-3	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BC-3.7	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BC-3S	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BC-5	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BF-2.5	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BF-2.5F	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BF-3	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BF-3.7	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYI18T1G400BF-3S	QIMONDA	获取价格	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM