5秒后页面跳转
HYB18RL28836AC-3.3 PDF预览

HYB18RL28836AC-3.3

更新时间: 2024-01-22 09:00:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
50页 736K
描述
DDR DRAM, 8MX36, CMOS, PBGA144, PLASTIC, TFBGA-144

HYB18RL28836AC-3.3 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST其他特性:AUTO REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B144长度:18.5 mm
内存密度:301989888 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:36功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:8MX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:11 mmBase Number Matches:1

HYB18RL28836AC-3.3 数据手册

 浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HYB18RL28836AC-3.3的Datasheet PDF文件第10页 
HYB18RL28818/36AC  
288 Mbit DDR Reduced Latency DRAM  
Figure 2 8M x 36 Ball assignment (Top view) 144 P-TFBGA package  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VEXT  
DQ1  
DQ3  
11  
TMS  
DQ0  
DQ2  
QK0  
DQ4  
DQ6  
A1  
12  
TCK  
VDD  
VTT  
VSS  
VREF  
VDD  
VTT  
VSS  
DQ8  
VEXT  
DQ9  
VSS  
VSSQ  
VSS  
A
B
C
D
E
F
VSSQ  
VDDQ  
DQ10 DQ11 VDDQ  
DQ12 DQ13 VSSQ  
DQ14 DQ15 VDDQ  
DQ16 DQ17 VSSQ  
1
(A22)  
VSSQ QK0#  
1
2
(A21)  
A5  
VDDQ  
VSSQ  
VDD  
VSS  
DQ5  
DQ7  
A2  
(A20)  
QVLD  
A0  
A8  
A6  
A9  
A7  
VDD  
VSS  
VDD  
VDD  
VSS  
VDD  
G
H
J
B2  
VSS  
VDD  
VDD  
VSS  
A17  
VSS  
VDD  
VDD  
VSS  
A12  
A4  
A3  
DK0  
DK1  
REF#  
WE#  
A18  
A15  
VSS  
VTT  
VDD  
VREF  
DK0#  
DK1#  
CS#  
A16  
VDD  
VDD  
VSS  
B0  
CK  
B1  
CK#  
A13  
A10  
K
L
A14  
A11  
VDD  
M
N
P
R
T
2
DQ24 DQ25 VSSQ  
DQ22 DQ23 VDDQ  
VSSQ DQ35 DQ34  
VDDQ DQ33 DQ32  
VSSQ DQ31 DQ30  
VDDQ DQ29 DQ28  
VSSQ DQ27 DQ26  
(A19)  
DM  
VSS  
VTT  
VDD  
TDI  
QK1  
QK1# VSSQ  
DQ20 DQ21 VDDQ  
DQ18 DQ19 VSSQ  
U
V
ZQ  
VEXT  
VSS  
VSS  
VEXT  
TDO  
Note: 1. Reserved for future use. May optionaly be connected to GND for improved heat dissipation.  
Note: 2. Reserved for future use. This signal has parasitic characteristics of an address input. May optionaly be connected to GND  
for improved heat dissipation.  
Version 1.60  
Page 7  
Infineon Technologies  
This specification is preliminary and subject to change without notice  

与HYB18RL28836AC-3.3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HYB18S128160TC-3 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-37 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-5 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-6 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-7 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-75 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-7F INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TC-8 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TCL-3 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM
HYB18S128160TCL-37 INFINEON

获取价格

MEMORY SPECTRUM