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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 长度： | 37 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62UT08081E-DP10E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP70C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP70E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP85C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| HY62UT08081E-DP85E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62UT08081E-DP85I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62UT08081E-DPC | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62UT08081E-DPE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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