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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62UT08081E-DT85C | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62UT08081E-DT85E | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62UT08081E-DT85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62UT08081E-DTC | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62UT08081E-DTE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62UT08081E-DTI | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
|
| HY62UT08081E-E | HYNIX |
获取价格 |
SRAM |
|
| HY62V16100LLR2-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| HY62V16100LLR2-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
| HY62V16100LLR2-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
|
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