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HY62UF8400SLM-70I

更新时间： 2024-10-01 09:29:43

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	470K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62UF8400SLM-70I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	11.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.11 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62UF8400SLM-85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62UT08081E	ETC	获取价格	x8\|3V\|70/85/100\|Low Power Slow SRAM - 256K
HY62UT08081E-DG10C	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY62UT08081E-DG10E	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY62UT08081E-DG10I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY62UT08081E-DG70C	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY62UT08081E-DG70E	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY62UT08081E-DG70I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY62UT08081E-DG85C	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY62UT08081E-DG85E	ETC	获取价格	x8 SRAM