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HY62256AJ-70

更新时间: 2024-01-02 23:59:58
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
x8 SRAM

HY62256AJ-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP28,.5
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.3最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18.39 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.794 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.69 mm
Base Number Matches:1

HY62256AJ-70 数据手册

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HY62256A Series  
Data Retention Timing Diagram  
DATA RETENTION MODE  
VCC  
4.5V  
tCDR  
tR  
2.2V  
VDR  
CS>VCC-0.2V  
CS  
VSS  
RELIABILITY SPEC.  
TEST MODE  
TEST SPEC.  
ESD  
HBM  
MM  
>2000V  
> 250V  
LATCH - UP  
< -100mA  
> 100mA  
PACKAGE INFORMATION  
28pin 600mil Dual In-Line Package(P)  
MAX.  
UNIT : INCH(mm)  
MIN.  
1.467(37.262)  
1.447(36.754)  
0.600(15.240)BSC  
0.065(1.650)  
0.050(1.270)  
0.090(2.286)  
0.070(1.778)  
0.550(13.970)  
0.530(13.462)  
0.155(3.937)  
0.145(3.683)  
0.035(0.889)  
0.020(0.508)  
0.140(3.556)  
0.120(3.048)  
3 deg  
11 deg  
0.014(0.356)  
0.008(0.200)  
0.021(0.533)  
0.015(0.381)  
0.100(2.54)BSC  
Rev.02 /Jun.99  
7

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