5秒后页面跳转
HY62256ALLJ-120 PDF预览

HY62256ALLJ-120

更新时间: 2024-11-19 15:34:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 215K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

HY62256ALLJ-120 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.39 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1496 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.69 mm
Base Number Matches:1

HY62256ALLJ-120 数据手册

 浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62256ALLJ-120的Datasheet PDF文件第7页 

与HY62256ALLJ-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62256ALLJ-55 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY62256ALLJ-55I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS
HY62256ALLJ-70 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY62256ALLJ-70I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS
HY62256ALLJ-85 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY62256ALLJ-85I HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS
HY62256ALLP HYNIX

获取价格

32Kx8bit CMOS SRAM
HY62256ALLP-10 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28
HY62256ALLP-100 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
HY62256ALLP-12 ETC

获取价格

x8 SRAM