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HY5V66EF6-P

更新时间： 2024-02-18 17:53:38

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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技术参数
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HY5V66EF6-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10.1 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,7X15,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

HY5V66EF6-P 数据手册

11Preliminary

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66E(L)F6(P) Series

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM

Internal Row

Counter

Self refresh

logic & timer

1Mx16 BANK 3

1Mx16 BANK 2

1Mx16 BANK 1

1Mx16 BANK 0

CLK

Row

Pre

Decoder

Row Active

CKE

DQ0

RAS

CAS

Refresh

Memory

Cell

Array

Column Active

Column

Pre

Decoder

DQ15

U/LDQM

Y-Decoder

Column Add

Counter

Bank Select

Address

Burst

Counter

Pipe Line

Control

A11

BA1

BA0

CAS Latency

Mode Register

Data Out Control

Rev. 0.2 / June. 2005

1 2 345 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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